逆变器MOSFET综合参数测试服务

   西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率器件测试服务中心，长禾实验室严格遵循国际标准，致力于为国内外客户提供一站式、全方位的专业测试服务。

   功率器件参数验证与二次筛选测试：保障器件性能稳定，助力客户优化供应链质量控制。

   车规级元器件检测与认证：针对新能源汽车领域，提供符合严苛车规标准的功率器件筛选与可靠性验证，助力行业客户突破核心技术瓶颈。

   环境与老化实验：模拟极端环境下器件工作状态，确保产品在复杂工况中长期可靠运行。

电流：10000A

试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc；

结电容（Cg）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；

试验能力：频率：0.1-1MHz、检测电压：1500V；

试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres；

C-V曲线扫描

输入电容Ciss-V；

输出电容Coss-V；

反向传输电容Cres-V；

栅极电阻（Rg）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件；

试验能力：检测电压：1500V；

试验参数：栅极等效电阻Rg

正向浪涌电流测试

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义；

试验对象：DIODE（Si/SiC）、整流桥、SCR、IGBT；

试验能力：检测电流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

试验参数：浪涌电流IFSM/ITSM、i2t

雷击浪涌 8/20us,10/1000us

雪崩耐量测试（UIS）

执行标准：MIL-STD-750，IEC60747，客户自定义；

试验对象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件；

试验能力：检测电压：4500V，检测电流：200A

试验参数：雪崩能量EAS

介电性测试

执行标准：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；

试验对象：Si、SiC·MOSFET；

试验能力：检测电压：4500V，检测电流：200A