功率器件热特性测试

2025-06-11 14:45:38发布信息编号：13360809

公司：	西安长禾半导体技术有限公司
联系人：	白经理(销售人员)
所在地：	陕西 - 西安,西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼1031
价格：	99/次
联系：	微信：baixiaohui000 电话：029-81153217 手机：15891485109

分立器件静态参数测试（DC）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012、GJB128B-2021 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；检测能力：检测电压：2000V 检测电流：200A；试验参数：漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS
I-V曲线扫描	ID vs.VDS at range of VGS ID vs.VGS at fixed VDS IS vs.VSD RDS vs.VGS at fixed ID RDS vs.ID at several VGS IDSS vs.VDS HFE vs.IC BVCE（O,S,R,V） vs.IC BVEBO vs.IE BVCBO vs.IC VCE（SAT） vs.IC VBE（SAT） vs.IC VBE（ON） vs.IC （use VBE test） VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF
功率模块静态参数测试（DC）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流桥等功率；试验能力：检测电压：7000V，检测电流：5000A 试验参数：漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS
开关特性测试（Switch）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；试验能力：检测电压：4500V 检测电流：5000A 试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt；
反向恢复测试（Qrr）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；试验能力：检测电压：4500V 检测电流：5000A 试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec；
栅极电荷（Qg）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；；试验能力：检测电压：4500V 检测电流：5000A 试验参数：栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd；
短路耐量（SCSOA）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件；试验能力：检测电压：4500V 检测电流：10000A 试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc；
结电容（Cg）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；试验能力：频率：0.1-1MHz、检测电压：1500V；试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres；
C-V曲线扫描	输入电容Ciss-V；输出电容Coss-V；反向传输电容Cres-V；
栅极电阻（Rg）	执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012；试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件；试验能力：检测电压：1500V；试验参数：栅极等效电阻Rg

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