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高温反偏试验HTRB第三方检测中心

2025-04-23 09:08:29发布   信息编号:13360811  
公司: 西安长禾半导体技术有限公司
联系人: 白经理(销售人员)
所在地: 陕西 - 西安,西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼1031
价格: 99/次
联系: 微信:baixiaohui000

电话:029-81153217 手机:15891485109

功率老炼

高温反偏试验(HTRB)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度150℃;电压5000V;

高温栅偏试验(HTGB)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

试验对象:MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度150℃;电压100V;

高温高湿反偏试验(H3TRB)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、 。

试验对象:DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块;

试验能力:温度85℃,湿度范围:25%~95%,电压4500V;

功率老炼测试

试验对象:IGBT、TVS、压敏电阻VDR;

试验能力:检测电压:4500V,检测电流:200A

间歇寿命试验(IOL)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、 ;

试验对象:DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件;

检测能力:ΔTj≧100℃ 电压60V,电流50A。

功率循环试验(PC)

执行标准:GJB128、MIL-STD-750、 ;

试验对象:IGBT模块;

检测能力:ΔTj=100℃,电压30V,电流1800A;

热阻测试(Riath)

执行标准:JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6;

试验对象:各类二极管;

试验能力:瞬态热阻、稳态热阻

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