汽车电子SiC.MOS测试服务

2025-06-11 14:45:37发布信息编号：13360811

功率老炼	高温反偏试验（HTRB）	执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；试验能力：温度150℃；电压5000V；
高温栅偏试验（HTGB）	执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。试验对象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；试验能力：温度150℃；电压100V；
高温高湿反偏试验（H3TRB）	执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、 EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；试验能力：温度85℃，湿度范围：25%~95%，电压4500V；
功率老炼测试	试验对象：IGBT、TVS、压敏电阻VDR；试验能力：检测电压：4500V，检测电流：200A
间歇寿命试验（IOL）	执行标准：GJB128、MIL-STD-750、；试验对象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；检测能力：ΔTj≧100℃ 电压60V，电流50A。
功率循环试验（PC）	执行标准：GJB128、MIL-STD-750、；试验对象：IGBT模块；检测能力：ΔTj=100℃，电压30V，电流1800A；
热阻测试（Riath）	执行标准：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；试验对象：各类二极管；试验能力：瞬态热阻、稳态热阻

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