MOS雪崩能量测试服务

功率器件要测哪些参数？IGBT要测那些参数？功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试，欢迎联系西安长禾半导体，我们是做深圳IGBT测试、深圳SiC测试、深圳间歇寿命测试、深圳老炼测试、HTGB测试、HTRB测试、HT3GB测试、深圳热阻测试、RTH测试、静态/动态参数测试、深圳DPA测试、失效分析。

随着技术发展，第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用，未来应用潜力巨大。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间。西安长禾半导体积极布局第三代半导体功率器件的测试业务，引进国际先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务，助力器件国产化、高新化发展。

测试标准：

覆盖MIL-STD-750，IEC 60747系列，GB/T29332等标准；服务内容包括：静态参数，动态参数，热特性，雪崩耐量，短路特性及绝缘耐压测试；设备支持0-1500A，0-3000V的器件参数检测。

产品范围：

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块