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NTMD4N03R2G BSC027N04LSG现货
2021-04-27 10:13:04发布   信息编号：7827902  
公司： 深圳市明佳达电子有限公司
联系人： 陈先生(其他)
所在地： 广东 - 深圳,深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦B座1239
价格： 面议
联系：

电话：0755-83957301 手机：13925277766

NTMD4N03R2G   4A， 30 V ， 双N沟道SO- 8 MOS管

1、规格

FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On 60 毫欧 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th） 3V 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） 16nC 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 400pF 20V
功率 - 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC

2、产品特点

设计用于在低电压，高速开关应用中使用

超低导通电阻提供更高的效率并延长电池寿命

小型SO- 8表面贴装封装

二极管电桥电路的特点是使用

二极管具有高转速，软恢复

NVMD前缀为汽车和其他需要的应用独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101合格的，有能力PPAP 

这些器件是无铅和符合RoHS标准

BSC027N04LSG   N沟道场效应MOS管

3、特点

快速开关MOSFET的开关电源

优化技术的DC / DC转换器

根据JEDEC合格1)为目标的应用

N沟道;逻辑电平

优秀的栅极电荷XRDS （ ON）产品（ FOM ）

极低的导通电阻RDS （ ON）

卓越的热电阻

100 ％雪崩测试

无铅电镀;符合RoHS标准

2、产品规格：

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Ta），100A（Tc）
驱动电压 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On 2.7 毫欧 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th） 2V 49µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） 85nC 10V
Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 6800pF 20V
FET 功能 -
功率耗散 2.5W（Ta），83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8-1
封装/外壳 8-PowerTDFN

只做原装，实单价格请详谈，出售中，询价记得找深圳市明佳达电子有限公司。

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