供应CSD17306Q5A，STGW80H65DFB

CSD17306Q5A   30V  N通道 场效应管

描述

该NexFET™功率MOSFET的设计的限度地减少电源转换应用的损失，并优化了5V栅极驱动应用。

应用

加载笔记本点

同步降压在负载点的网络，电信和计算机系统

特点

优化5V栅极驱动器

超Qg和Qgd

低热阻

额定雪崩

无铅端子电镀

符合RoHS

无卤

SON 5毫米×6毫米的塑料包装

STGW80H65DFB 是ST意法半导体使用基于新的高电压技术上专利带布局，意法半导体设计了一个IGBT的一种先进的家庭，的PowerMESH ™IGBT的，同优秀perfomances 。后缀“ H”的标识家庭优化，以达到非常低的开关时间高频应用（ <120kHz ） 。

特点

高输入阻抗（电压驱动）

低导通压降（ VCESAT)

低栅电荷

高电流能力

甚高频运行

关损失包括尾电流

应用

高频电机控制

SMPS和PFC以硬开关及谐振拓扑结构

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