分立半导体IPD031N06L3G

2021-04-27 10:13:06发布信息编号：7800553

公司：	深圳市明佳达电子有限公司
联系人：	陈先生(其他)
所在地：	广东 - 深圳,深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦B座1239
价格：	面议
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N沟道场效应管

规格：

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100A（Tc）
驱动电压	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On	3.1 毫欧 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）	2.2V 93µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	79nC 4.5V
Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	13000pF 30V
FET 功能	-
功率耗散	167W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	PG-TO252-3
封装/外壳	TDPak（2 引线 + 接片），SC-63

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RT3572
INA126EA
LMX2531LQ1146E
TMS320C6747DZKB4
OPA691IDBVT
OPA548T-1
SN74ALVCH162836GR
CDCU877AZQLR
MT41K256M8DA-125

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