KEITHLEY4200-SCS吉时利参数分析仪

美国吉时利KEITHLEY参数分析仪4200-SCS研究应用领域： 半导体材料和器件的研发—传统的半导体和微电子专业 器件和工艺的参数监控—半导体工艺线，生产 器件的建模（Modeling)—半导体器件的设计，集成电路的设计 可靠性和寿命测试—半导体器件可靠性研究 高功率MOSFET，BJT和III-V族器件（GaN，GaAs)的特性分析 纳米器件研究； 光电子器件的研究（LED，OLED等）； 非易挥发性存储器测试—Flash闪存，相变存储器（PRAM），铁电存储器（FeRAM)，阻变存储器（RRAM)等； 有机半导体特性分析 太阳能电池及光伏电池特性分析 确定样品的电阻率和Hall载流子浓度 氧化层厚度、栅面积、串联电阻、平带电容、电压、开启电压、体掺杂、有效氧化层电荷密度、可动电荷、金属-半导体功函数、德拜长度、体电势等。 标准C-V扫描：普通MOSFET，二极管和电容器； MOScap：测量MOS电容器上的C-V，提取参数包括氧化层电容，氧化层厚度，掺杂浓度，耗尽深度，德拜长度，平带电容，平带电压，体电势，阈值电压，金属半导体功函数，有效氧化层电荷； MOSFET：对一个MOSFET器件进行一个C-V扫描。提取参数包括：氧化层厚度，氧化层电容，平带电容，平带电压，阈值电压，掺杂浓度与耗尽深度的函数关系； 寿命：确定产生速度并进行寿命测试（Zerbst图）； 可动离子：使用BTS方法确定并提取平带电压参数确定可动电荷。包括对Hot Chuck热吸盘的控制。在室温下测试样品，然后加热后测试，然后再恢复至室温下以确定平带漂移电压，从而确定可动电荷； 电容：在金属-绝缘-金属（MIM）电容器上进行C-V扫描和C-f扫描，并计算出标准偏差； PN结：测量P-N结或肖特及二极管的电容与其尖/端片置电压的函数关系； 光伏电池：测量一个发光太阳电池的正向和反向DC特性，提取参数，zui/大功率，zui/大电流，zui/大电压，短路电流，开路电压，效率。同时执行C-V和C-f扫描特性； BJT：在端-端之间测量电容（OV偏置情况下），Cbe，Cbc，Cec； 接线电容：测量晶圆上小的互相接线之间的电容； 纳米线：在两端的纳米线器件上进行C-V扫描； 闪存：在一个典型的栅极悬浮闪存器件上进行C-V测量。 碳纳米管、生物芯片/器件、碳纳米管FET、纳米线、分子线、分子晶体管、多管脚纳米格 超快I-V的源和测量在很多技术领域变得越来越重要，包括化合物半导体，中功率器件，中功率器件，非易挥发性存储器，MEMS（微机电器件），纳米器件，太阳电池和CMOS器件。 脉冲I-V对器件进行特性分析可以实现用传统DC方法无法实现的任务，比如，对纳米器件的自热效应的克服，对于高K栅极电介质器件中因电荷陷阱效应而导致的磁滞效应般的电流漂移。 瞬态I-V测试使得科研人员来获取高速的电流或电压波形。脉冲信号源可用于器件可靠性中的应力测试，或者以多阶梯脉冲模式对存储器件的擦、写操作 通用的脉冲I-V器件测试 CMOS器件特性分析：电荷泵，自热效应，电荷陷阱，NBTI/PBTI分析 非易挥发性存储器：闪存，相变存储器 化合物半导体器件和材料：LED等 纳米器件和MEMS等