晶体管XTR2N0800

  XTR2N0800

• 超过-60°C至+230°C温度范围的操作。

• 最小BVDSS=-40V。

• 允许的VGS范围–5.5 V至+5.5 V。

• 低RDS（on）  XTR2N0525:2.3Ω@230°C

XTR2N0550:1.1Ω@230°C

• 最*峰值ID： XTR2N0525:5.3a@230°C

XTR2N0550:11.7A@230°C

• 按时（td（on）+tr）：XTR2N0525:26NSEC@230°C

XTR2N0550:31NSEC@230°C

• 关闭时间（td（关闭）+tf）：XTR2N0525:76NSEC@230°C

XTR2N0550:91NSEC@230°C

• 加固3-lead至257，8-lead侧焊浸，8-lead SOIC，带EPAD。

• 也可作为测试裸模。