俄歇电子能谱AES检测测试服务

俄歇电子能谱AES检测测试服务

俄歇电子能谱AES检测测试服务

俄歇电子能谱分析（AES）可为客户解决的产品质量问题

（1）当产品表面存在微小的异物，而常规的成分测试方法无法准确对异物进行定性定量分析，可选择AES进行分析，AES能分析≥20nm直径的异物成分，且异物的厚度不受限制（能达到单个原子层厚度，0.5nm）。

（2）当产品表面膜层太薄，无法使用常规测试进行厚度测量，可选择AES进行分析，利用AES的深度溅射功能测试≥3nm膜厚厚度。

（3）当产品表面有多层薄膜，需测量各层膜厚及成分，利用D-SIMS结合AES能准确测定各层薄膜厚度及组成成分。

 粉末样品提供10mg，样品用干净玻璃瓶盛装或铝箔纸包装。块状/薄膜：一般长宽厚不超出5*5*3mm。样品必须导电性好，不导电或者导电性差的样品不能做，样品在超高真空下必须稳定，无腐蚀性，无磁性，无挥发性等。

样品包装要求：样品制备好以后，尽可能进行真空密封，否则样品会吸附空气中的污染物，对表面测试会有影响。

样品信息：样品为客户端送检LED碎片，客户端反映LED碎片上Pad表面存在污染物，要求分析污染物的类型。

失效样品确认：将LED碎片放在金相显微镜下观察，寻找被污染的Pad，通过观察，发现Pad表面较多小黑点。

 俄歇电子能谱仪（ AES）分析：对被污染的Pad表面进行分析，结果如下图，位置1为污染位置，位置2为未污染位置。

结论：通过未污染位置和污染位置对比分析，发现污染位置主要为含K和S类物质，在未污染位置只发现S和O，推断污染位置存在K离子污染，并接触含S类介质，共同作用形成黑色的污染物。

二：

1.  AES SEI成像+能谱图+元素定性半定量分析

2.  AES俄歇成分成像 （MAPPING)

3.  AES深度剖析曲线