公司: | 深圳市华科智源科技有限公司 |
联系人: | 陈少龙(管理人员) |
所在地: | 广东 - 深圳,深圳市宝安区航城街道恒丰工业城C4栋816 |
价格: | 面议 |
联系: | 微信:HUSTEC-Chen
电话:0755-23226816 手机:18692779548 |
SIC碳化硅器件测试仪
SIC碳化硅器件参数测试仪
功能及主要参数:
适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
品牌: 华科智源
名称: SIC动态参数测试仪
型号: HUSTEC-3000
用途: SIC器件,MOS管, IGBT测试
产品详情
功能及主要参数:
适用碳化硅二极管、IGBT模块\MOS管等器件的时间参数测试。
主要技术参数:
IGBT开关特性测试
开关时间测试条件
Ic:50A~1000A Vce:200V~2000V
Vgs:-10V~+20V Rg:1R~100R可调(可选择4档及外接)
负 载:感性负载阻性负载可切换
电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
电阻范围:0.5R、1R、2R、4R
IGBT开关特性测试参数
开通延迟td(on): 20nS -10uS
上升时间tr: 20nS -10uS
开通能量Eon: 0.1-1000mJ
关断延迟时间td(off):20 nS -10uS
下降时间 tf: 20nS -10uS
关断能量Eoff:0.1-1000mJ
二极管反向恢复特性测试
FRD测试条件:正向电流IF:50A~1000A;反向电压 Vr:200V~2000V;-di/dt:100A/us~10000A/us ;负载:感性负载可选
电感范围:100uH,200uH,500uH,1000uH
FRD测试参数
反向恢复时间trr:20nS -2uS
反向恢复电荷Qc:10nC~10uC;
反向恢复电流Irm:50A~1000A
反向恢复损耗Erec:0.1mJ~1000mJ
产品优势
国内唯一能对二极管、IGBT模块、MOS管等器件的时间参数实施测试的设备。
免责申明:聚荣网所展示的信息由用户自行提供,其真实性、合法性、准确性由信息发布人负责。使用本网站的所有用户须接受并遵守法律法规。聚荣网不提供任何保证,并不承担任何法律责任。 聚荣网建议您交易小心谨慎。
- 上海老砚台 笔筒回收一站式2024-05-08
- AI机器人外呼系统的优势2024-05-08
- 内江铸铁电梯试验砝码2024-05-08
- 上海老版寿山石回收 各种老青田石收购长期2024-05-08
- 遂宁铸铁电梯试验砝码2024-05-08
- 广元铸铁电梯试验砝码2024-05-08