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供应IGBT静动态参数测试服务

2025-06-11 14:46:10发布   信息编号:12067506  
公司: 西安长禾半导体技术有限公司
联系人: 白经理(销售人员)
所在地: 陕西 - 西安,西安市高新区锦业路69号创新商务公寓1号楼1031
价格: 面议
联系: 微信:baixiaohui000

电话:029-81153217 手机:15891485109

功率器件要测哪些参数?IGBT要测那些参数?功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试,欢迎联系西安长禾半导体。

测试项目:

静态参数                                                     符号

Drain to Source Breakdown Voltage        BVDSS

Drain Leakage Current                             IDSS

Gate Leakage Current                              IGSS

Gate Threshold Voltage                            VGS(th)

Drain to Source On Resistance                RDS(on)

Drain to Source On Voltage                      VDS(on)

Body Diode Forward Voltage                    VSD

Transconductance                                    gfs

Gate to Source Plateau Voltage               Vgs(pl)

动态参数                                                     符号

Turn-on delay time                                    td(on)

Rise time                                                   tr

Turn-off delay time                                    td(off)

Fall time                                                    tf

Turn-on energy                                         Eon

Turn-off energy                                         Eoff

Diode reverse recovery time                    trr

Diode reverse recovery charge                Qrr

Diode peak reverse recovery current       Irrm

Diode peak rate of fall of reverse

recovery current                                       dirr/dt

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